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- PVT碳化硅晶體生長技術難點[ 03-15 15:42 ]
- 目前碳化硅單晶的生長方法主要包括以下三種：液相法、高溫化學氣相沉積法、物理氣相傳輸法（PVT）。其中PVT法是目前SiC單晶生長研究最多、最成熟的技術，其技術難點在于： （1）碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內完成“固-氣-固”的轉化重結晶過程，生長周期長、控制難度大，易產生微管、包裹物等缺陷。 （2）碳化硅單晶包括200多種不同晶型，但生產一般僅需一種晶型，生長過程中易產生晶型轉變造成多型夾雜缺陷，制備過程中單一特定晶型難以穩(wěn)定控制，例如目前主流的4H型。
- 高純度碳化硅生長原料合成技術[ 03-14 15:40 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法將固態(tài)的Si源和C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續(xù)反應，最后得到高純SiC粉體，是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 天岳先進使用的高純碳化硅是將高純硅粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合，在2000℃以上的高溫條件下，
- 碳化硅單晶生長爐制造技術[ 03-12 15:37 ]
- 碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質量晶體生長提供適合的熱場實現條件。 碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心，決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關鍵反應條件。熱場的配置核心是設置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場內生長的晶體具有較小的原生內應力，同時具備合理可控的生長速率。
- 碳化硅作為強共價鍵化合物所具有的顯著特點[ 03-10 15:20 ]
- 碳化硅是一種強共價鍵化合物，具有以下顯著特點： 1）密度低、彈性模量高； 2）硬度高，耐磨損性能好； 3）化學穩(wěn)定性好，耐腐蝕性能優(yōu)異； 4）高溫強度高、抗蠕變性好； 5）電阻率可控，具有半導體特性； 6）熱膨脹系數低、熱導率高。
- 碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]
- 隨著半導體技術的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導體制造工藝廣泛應用的技術。等離子體刻蝕產生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內部件造成嚴重腐蝕，所以半導體加工設備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心
